[发明专利]衬底处理装置、加热器及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201580076770.7 | 申请日： | 2015-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN107408505B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 村田等;八幡橘;和田优一;山口天和;西堂周平 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/46;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 缩短处理炉内的温度稳定时间。解决手段为具有：保持衬底的衬底保持件；处理室，对保持于衬底保持件的衬底进行处理；第一加热器，从处理室外加热处理室内；和第二加热器，以位于衬底保持件内的方式设置，并从衬底的背面侧加热衬底，第二加热器具有支柱部；环状部，其连接于支柱部，形成为直径比衬底的直径小的圆弧状；一对连接部，其将环状部的各个端部连接于支柱部，和设置于环状部的内部的发热体。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 加热器 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底处理装置，具有：保持衬底的衬底保持件，处理室，对保持于所述衬底保持件的所述衬底进行处理，第一加热器，从所述处理室外加热所述处理室内，和第二加热器，以位于所述衬底保持件内的方式设置，并从所述衬底的背面侧加热所述衬底，所述第二加热器具有：支柱部，环状部，其连接于所述支柱部，形成为直径比所述衬底的直径小的圆弧状，一对连接部，其将所述环状部的各个端部连接于所述支柱部，和设置于所述环状部的内部的发热体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
