[发明专利]包含堆叠式存储器阵列的构造有效
| 申请号： | 201580077081.8 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN107408570B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚·雷达埃利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一些实施例包括一种具有第一存储器阵列层叠及在第一存储器阵列层叠上方的第二存储器阵列层叠的构造。第二存储器阵列层叠与第一存储器阵列层叠在一或多个操作特性、在间距及/或在一或多个结构参数方面不同；其中结构参数包括不同材料及/或材料的不同厚度。一些实施例包括一种具有沿着第一方向延伸的第一系列及第三系列的存取/感测线及在第一系列与第三系列之间沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的第二系列的存取/感测线的构造。第一存储器单元是在第一系列的存取/感测线与第二系列的存取/感测线之间且布置成第一存储器阵列层叠。第二存储器单元是在第二系列的存取/感测线与第三系列的存取/感测线之间且布置成第二存储器阵列层叠。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 堆叠 存储器 阵列 构造 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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