[发明专利]用于光学干涉计的镜板及光学干涉计有效
申请号: | 201580077176.X | 申请日: | 2015-12-18 |
公开(公告)号: | CN107250741B | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | A.瓦普拉;C.霍姆伦德;A.里斯桑恩 | 申请(专利权)人: | 芬兰国家技术研究中心股份公司 |
主分类号: | G01J3/26 | 分类号: | G01J3/26;G02B26/00;G02B5/28;G02B5/08;B81B7/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 肖日松;傅永霄 |
地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 芬兰;FI |
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摘要: | 一种用于法布里‑珀罗干涉计(300)的镜板(100)包括:‑基底(50),其包括硅(Si),‑在基底(50)上实施的半透明反射涂层(110),‑在基底(50)上形成的去耦结构(DC1),‑在去耦结构(DC1)之上形成的第一传感器电极(G1a),以及‑第二传感器电极(G1b),其中去耦结构(DC1)包括电绝缘层(60a),以及第一稳定电极(G0a),其位于第一传感器电极(G1a)与基底(50)之间。 | ||
搜索关键词: | 基底 去耦结构 电极 第一传感器 光学干涉 镜板 半透明反射 第二传感器 电绝缘层 稳定电极 法布里 干涉 | ||
【主权项】:
一种用于法布里‑珀罗干涉计(300)的镜板(100),所述镜板(100)包括:‑基底(50),其包括硅(Si),‑在所述基底(50)上实施的半透明反射涂层(110),‑在所述基底(50)上形成的去耦结构(DC1),‑在所述去耦结构(DC1)之上形成的第一传感器电极(G1a),以及‑第二传感器电极(G1b),其中所述去耦结构(DC1)包括电绝缘层(60a),其特征在于,所述去耦结构(DC1)还包括位于所述第一传感器电极(G1a)与所述基底(50)之间的第一稳定电极(G0a)。
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