[发明专利]静电吸盘以及晶片处理装置

摘要

本发明所涉及的静电吸盘具备：多结晶陶瓷烧结体即陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面、设置在周端部且形成所述第1主面的一部分的密封环；及电极层，设置在所述陶瓷电介体基板的所述第1主面与所述第2主面之间，呈一体地烧结于所述陶瓷电介体基板，其特征为，在与第1主面正交的方向上观察时，所述陶瓷电介体基板的外周被加工成所述陶瓷电介体基板的外周与所述电极层的外周的间隔均匀，所述密封环的宽度为0.3毫米以上、3毫米以下，在与第1主面正交的方向上观察时，所述电极层与所述密封环发生重复的宽度为‑0.7毫米以上、2毫米以下。正确且均匀地将电极的外周配置至接近陶瓷电介体基板的外周的位置为止，在保持绝缘强度的同时，能够在陶瓷电介体基板外周部得到较大且一定的吸附力，而且能够使处理对象物的温度分布均匀化。

主权项

一种静电吸盘，具备：多结晶陶瓷烧结体即陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面、设置在周端部且形成所述第1主面的一部分的密封环；及电极层，设置在所述陶瓷电介体基板的所述第1主面与所述第2主面之间，呈一体地烧结于所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述电极层包含相互离开配设的多个电极要素，在与所述第1主面正交的方向上观察时，所述陶瓷电介体基板的外周被加工成所述陶瓷电介体基板的外周与所述电极层的外周的间隔均匀，在所述方向上观察时，所述电极层的外周与所述陶瓷电介体基板的外周的间隔小于所述多个电极要素的间隔，所述密封环的宽度为0.3毫米以上、3毫米以下，在所述方向上观察时，所述电极层与所述密封环发生重复的宽度为‑0.7毫米以上、2毫米以下。