[发明专利]半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带和半导体晶片的磨削加工方法有效
| 申请号： | 201580077797.8 | 申请日： | 2015-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107431007B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 横井启时 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带和使用了该胶带的半导体晶片的磨削加工方法，该胶带为设置基材并在该基材的一个面侧设置粘合剂层而成的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，该基材的未形成粘合剂层的面的表面粗糙度为Rz＝0.7μm～5.0μm，该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带在波长500nm～600nm的全光线透过率为40％～80％，镜面晶片的色差(ΔEM)与将该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带贴合于该镜面晶片的状态下的色差(ΔET)之差为ΔET－ΔEM＞6.5，该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带被贴合于具有缺口的半导体晶片的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 背面 磨削 工用 表面 保护 胶带 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，其为设置基材并在该基材的一个面侧设置粘合剂层而成的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，其特征在于，该基材的未形成粘合剂层的面的表面粗糙度为Rz＝0.7μm～5.0μm，该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带在波长500nm～600nm的全光线透过率为40％～80％，镜面晶片的色差ΔEM与将该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带贴合于该镜面晶片的状态下的色差ΔET之差为ΔET－ΔEM＞6.5，该表面保护胶带被用于贴合于具有缺口的半导体晶片的表面而对半导体晶片的背面进行磨削加工的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
