[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201580078411.5 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN107431091B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 田中梨菜;香川泰宏;菅原胜俊;三浦成久 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅半导体装置及其制造方法。第1导电型的漂移层(2)包含碳化硅。第2导电型的主体区域(5)设置在漂移层(2)上。第1导电型的源极区域(3)设置在主体区域(5)上。源极电极(11)连接于源极区域(3)。栅极绝缘膜(9)设置在贯通主体区域(5)和源极区域(3)的沟槽(6)的侧面上和底面上。栅极电极(10)隔着栅极绝缘膜(9)设置在沟槽(6)内。第2导电型的沟槽底面保护层(15)在漂移层(2)内设置在沟槽(6)的底面的下方，电连接于源极电极(11)。沟槽底面保护层(15)具有：高浓度保护层(8)；和设置在高浓度保护层(8)的下方、杂质浓度比高浓度保护层(8)低的第1低浓度保护层(7)。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体装置(91～94)，其特征在于，具备：包含碳化硅的第1导电型的漂移层(2)；设置在所述漂移层上的第2导电型的主体区域(5)；设置在所述主体区域上的第1导电型的源极区域(3)；连接于所述源极区域的源极电极(11)；在贯通所述主体区域和所述源极区域的沟槽的侧面上和底面上所设置的栅极绝缘膜(9)；隔着所述栅极绝缘膜设置在所述沟槽内的栅极电极(10)；和第2导电型的沟槽底面保护层(15)，其在所述漂移层内在所述沟槽的底面的下方设置、电连接于所述源极电极，所述沟槽底面保护层具有：高浓度保护层(8)；和第1低浓度保护层(7)，其设置在所述高浓度保护层的下方、杂质浓度比所述高浓度保护层低。
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