[发明专利]可调节缓冲电路有效
| 申请号： | 201580078499.0 | 申请日： | 2015-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN107438950B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | W·张;P·乌帕德亚雅 | 申请（专利权）人： | 赛灵思公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京市君合律师事务所 11517 | 代理人： | 毛健;顾云峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种共模逻辑缓冲装置，其包括被配置为提供源电流的电流源(112)。输入级包括第一MOS晶体管对(110)，其被配置成：从源电流并基于输入差分电压，产生两个输出路径之间的差分电流。输出级包括第二MOS晶体管对(106)，其被配置成：基于为两个输出路径中的每一个提供的有效阻抗，产生输出差分电压。调整电路(104、108)被配置成：响应于控制信号，调整第二MOS晶体管对(106)的有效阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 调节 缓冲 电路 | ||
【主权项】：
1.一种共模逻辑缓冲装置，包括：包括第一输入和第二输入的差分输入信号对(116、118)；包括第一输出和第二输出的差分输出信号对(120、122)；电流源(112)；参考电压(102)；第一金属氧化物半导体晶体管对(110)，包括：第一金属氧化物半导体晶体管(222)，其具有连接至所述第一输入的栅极并且串联在所述电流源和所述第一输出之间，以及第二金属氧化物半导体晶体管(224)，其具有连接至所述第二输入的栅极并且串联在所述电流源和所述第二输出之间；第二金属氧化物半导体晶体管对(106)，包括：串联在所述参考电压和所述第一输出之间的第三金属氧化物半导体晶体管(206)，以及串联在所述参考电压和所述第二输出之间的第四金属氧化物半导体晶体管(208)；第一调整电路(104)，其被配置成：响应于控制信号，调整所述第一输出和所述第三金属氧化物半导体晶体管的栅极之间的第一电阻值；和第二调整电路(108)，其被配置成：响应于所述控制信号，调整所述第二输出和所述第四金属氧化物半导体晶体管的栅极之间的第二电阻值，其中所述第一调整电路还被配置成：响应于所述控制信号，调整在所述第三金属氧化物半导体晶体管的栅极与所述参考电压之间的第一电容值；其中所述第二调整电路还被配置成：响应于所述控制信号，调整在所述第四金属氧化物半导体晶体管的栅极与所述参考电压之间的第二电容值。
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