[发明专利]负载锁定腔室、真空处理系统和抽空负载锁定腔室的方法有效
| 申请号： | 201580078936.9 | 申请日： | 2015-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN107567653B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·格比利;沃尔夫冈·莱恩;拉尔夫·林登贝格 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了一种用于真空处理系统(500)的负载锁定腔室(100)。负载锁定腔室包括负载锁定壁，负载锁定壁包围负载锁定腔室空间，其中负载锁定壁包括第一负载锁定壁(101)和第二负载锁定壁(102)，其中第二负载锁定壁(102)与第一负载锁定壁(101)相对地布置。负载锁定腔室还包括用于抽空负载锁定腔室(100)的至少一个第一真空抽吸出口(110)和至少一个第二真空抽吸出口(111)；其中至少一个第一真空抽吸出口(110)是位于第一负载锁定壁(101)处，并且至少一个第二真空抽吸出口(111)是位于第二负载锁定壁(102)处。另外，还描述了一种真空处理系统和一种用于抽空负载锁定腔室的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 负载 锁定 真空 处理 系统 抽空 方法 | ||
【主权项】：
一种用于真空处理系统(500)的负载锁定腔室(100；200)，包括：负载锁定壁(101；102；103；104；105；106；205；206)，所述负载锁定壁包围负载锁定腔室空间，其中所述负载锁定壁包括第一负载锁定壁(101；103；105)和第二负载锁定壁(102；104；106)，其中所述第二负载锁定壁(102；104；106)与所述第一负载锁定壁(101；103；105)相对地布置；以及至少一个第一真空抽吸出口(110)和至少一个第二真空抽吸出口(111)，用于抽空所述负载锁定腔室(100；200)；其中所述至少一个第一真空抽吸出口(110)是位于所述第一负载锁定壁(101；103；105)处，并且所述至少一个第二真空抽吸出口(111)是位于所述第二负载锁定壁(102；104；106)处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
