[发明专利]用于创建延伸到晶体管的有栅极区域中的缓冲部的设备和方法在审
| 申请号： | 201580079300.6 | 申请日： | 2015-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107534052A | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | C·S·莫哈帕特拉;G·杜威;A·S·默西;G·A·格拉斯;W·拉赫马迪;J·T·卡瓦列罗斯;T·加尼;M·V·梅茨 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 林金朝,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 晶体管器件可以被形成为具有处于有源沟道和衬底之间的缓冲部，其中，所述缓冲部的一部分和所述有源沟道形成了有栅极区域。有源沟道可以包括处于有源沟道和衬底之间的子结构(例如，缓冲部)上的低带隙材料。所述子结构可以包括高带隙材料，所述材料具有期望的导带偏移，以使得在不对有源沟道内的电子迁移率造成显著影响的情况下抑制泄漏。在实施例中，可以将所述有源沟道和所述子结构形成在窄沟槽中，以使得由于有源沟道和子结构之间的晶格失配所引起的缺陷被终止于所述子结构中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 创建 延伸到 晶体管 栅极 区域 中的 缓冲 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种微电子结构，包括：衬底；低带隙有源沟道；设置在所述衬底和所述低带隙有源沟道之间的高带隙子结构，其中，所述高带隙子结构与所述低带隙有源沟道毗邻；与所述高带隙子结构毗邻的至少一个隔离结构，其中，所述高带隙子结构的一部分从所述至少一个隔离结构延伸出来；以及有栅极区域，其包括所述低带隙有源沟道和所述高带隙子结构的从所述至少一个隔离结构延伸出来的所述部分。
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