[发明专利]用于外延生长源极/漏极晶体管区域的碳基界面有效
| 申请号： | 201580080044.2 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN107667434B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | G·A·格拉斯;P·H·基斯;H·W·肯内尔;R·米恩德鲁;A·S·默西;K·贾姆布纳坦 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/165 | 分类号： | H01L29/165;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/775;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于在外延生长的S/D区域和沟道区域之间形成具有一个或多个碳基界面层的p‑MOS晶体管的技术。在一些情况下，碳基界面层可以包括具有大于20％碳的碳含量和0.5‑8nm的厚度的单层。在一些情况下，碳基界面层可以包括具有小于5％的碳含量和2‑10nm的厚度的单层。在一些这样的情况下，单层还可以包括硼掺杂硅(Si:B)或硼掺杂硅锗(SiGe:B)。在一些情况下，一个或多个附加界面层可以沉积在碳基界面层上，其中附加界面层包括Si:B和/或SiGe:B。这些技术可用于改善短沟道效应，并改善所得晶体管的有效栅极长度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 外延 生长 晶体管 区域 界面 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：硅(Si)沟道区域，所述硅沟道区域由Si衬底的部分形成；源极/漏极(S/D)区域，所述源极/漏极区域包括硼掺杂的硅(Si:B)和硼掺杂的硅锗(SiGe:B)中的一种；以及一个或多个碳基界面层，所述一个或多个碳基界面层在所述沟道区域与所述S/D区域之间，其中，所述一个或多个碳基界面层包含的碳含量的百分比大于0％。
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