[发明专利]用于半导体结构的金属特征的自底向上填充（BUF）在审
| 申请号： | 201580080097.4 | 申请日： | 2015-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN107743653A | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | S·B·克伦德宁;M·M·米坦;T·E·格拉斯曼;F·格里吉欧;G·M·克洛斯特;K·N·弗拉休尔;F·格瑟特莱恩;R·胡拉尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/768;C23C16/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 林金朝,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了用于形成半导体结构的金属特征的自底向上填充方式和所得到的结构。在示例中，一种半导体结构包括设置于层间电介质(ILD)层中的沟槽。沟槽具有侧壁、底部和顶部。U形金属种子层设置在沟槽的底部并沿着沟槽的侧壁，但大体上位于沟槽的顶部下方。金属填充层设置在U形金属种子层上并将沟槽填充到沟槽的顶部。金属填充层沿沟槽的侧壁的位于U形金属种子层上方的部分与ILD层的电介质材料直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 结构 金属 特征 向上 填充 buf | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：沟槽，其设置在层间电介质(ILD)层中，所述沟槽具有侧壁、底部和顶部；U形金属种子层，其设置在所述沟槽的所述底部并沿着所述沟槽的所述侧壁，但大体上位于所述沟槽的所述顶部下方；以及金属填充层，其设置在所述U形金属种子层上并将所述沟槽填充到所述沟槽的所述顶部，其中，所述金属填充层沿着所述沟槽的所述侧壁的位于所述U形金属种子层上方的部分与所述ILD层的电介质材料直接接触。
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