[发明专利]清洗半导体衬底的方法和装置有效
| 申请号： | 201580080188.8 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN107636799B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 王晖;陈福发;陈福平;王坚;王希;张晓燕;金一诺;贾照伟;谢良智;王俊;李学军 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/12;B08B3/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
一种使用超/兆声波装置清洗半导体衬底且不损伤半导体衬底上的图案化结构的方法包括将液体喷射到半导体衬底和超/兆声波装置之间的间隙中；设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超/兆声波装置；在液体中的气穴振荡损伤半导体衬底上的图案化结构之前，设置超/兆声波电源的频率为f |
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| 搜索关键词： | 清洗 半导体 衬底 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种使用超/兆声波装置清洗半导体衬底且不损伤半导体衬底上的图案化结构的方法，其特征在于，包括：将液体喷射到半导体衬底和超/兆声波装置之间的间隙中；设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动所述超/兆声波装置；在所述液体中的气穴振荡损伤半导体衬底上的图案化结构之前，设置所述超/兆声波电源的频率为f2，功率为P2以驱动所述超/兆声波装置；待气泡内的温度冷却到设定温度后，再次设置所述超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1；重复上述步骤直到半导体衬底洗净。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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