[发明专利]用于后端工艺(BEOL)互连件的借助使用自底向上交联的电介质的图像色调反转有效
| 申请号： | 201580080204.3 | 申请日： | 2015-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN108012561B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | R·L·布里斯托尔;J·M·布莱克韦尔;R·胡拉尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 说明了用于后端工艺(BEOL)互连件的借助使用自底向上交联的电介质的图像色调反转。在示例中，一种包括金属化层的半导体结构，包括衬底上方的层间电介质(ILD)层中的多个沟槽。预催化剂层在多个沟槽中的一个或多个沟槽(但不是全部沟槽)的侧壁上。电介质材料的交联部分在多个沟槽中的一个或多个沟槽中靠近预催化剂层。导电结构在沟槽中的剩余沟槽中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 后端 工艺 beol 互连 借助 使用 向上 交联 电介质 图像 色调 反转 | ||
【主权项】：
1.一种包括金属化层的半导体结构，所述金属化层包括：多个沟槽，所述多个沟槽在衬底上方的层间电介质(ILD)层中；预催化剂层，所述预催化剂层在所述多个沟槽中的一个或多个沟槽的侧壁上，但不是在所述多个沟槽中的全部沟槽的侧壁上；电介质材料的交联部分，所述电介质材料的所述交联部分在所述多个沟槽中的所述一个或多个沟槽中靠近所述预催化剂层；以及导电结构，所述导电结构在所述沟槽的剩余沟槽中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
