[发明专利]IV族衬底上的III-N MEMS结构有效
| 申请号： | 201580080280.4 | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107667069B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | H·W·田;S·达斯古普塔;S·K·加德纳;R·皮拉里塞泰;M·拉多萨夫列维奇;S·H·宋;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01L1/18;G01L1/22 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于在IV族衬底(例如，硅、硅锗或锗衬底)上形成III族材料‑氮化物(III‑N)微机电系统(MEMS)结构的技术。在一些情况下，该技术包括在衬底上、以及任选地在浅沟槽隔离(STI)材料上形成III‑N层，然后通过蚀刻来释放III‑N层以形成悬置于衬底上方的III‑N层的自由部分。该技术可以包括例如使用湿法蚀刻工艺，其选择性地蚀刻衬底和/或STI材料，但不蚀刻III‑N材料(或者以显著地较慢的速率蚀刻III‑N材料)。可以在III‑N层上形成压阻元件，例如，以检测III‑N层的自由/悬置部分中的振动或挠曲。因此，可以使用该技术来形成MEMS传感器，例如，加速度计、陀螺仪和压力传感器。 | ||
| 搜索关键词： | iv 衬底 iii mems 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：衬底；III族材料‑氮化物(III‑N)层，所述III族材料‑氮化物(III‑N)层包括在所述衬底上的固定部分和悬置于所述衬底上方的自由部分；以及压阻元件，所述压阻元件在所述III‑N层上。
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