[发明专利]低杂散场磁性存储器有效
| 申请号： | 201580080326.2 | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107636850B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | B.S.多伊勒;K.奥古茨;K.P.奥布里恩;D.L.肯克;C.C.郭;M.L.多茨;S.苏里;R.S.周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐红燕;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例包括一种装置，该装置包括：衬底；在衬底上的磁性隧道结（MTJ），该磁性隧道结包括固定层、自由层以及固定层和自由层之间的电介质层；以及第一合成反铁磁（SAF）层、第二SAF层以及在第一SAF层和第二SAF层之间的包括非磁性金属的中间层；其中，第一SAF层包括赫斯勒合金。本文描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 散场 磁性 存储器 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：衬底；在所述衬底上的磁性隧道结（MTJ），其包括固定层、自由层以及所述固定层和自由层之间的电介质层；以及第一合成反铁磁（SAF）层、第二SAF层以及在所述第一SAF层和第二SAF层之间的包括钌（Ru）的中间层；其中，所述第一SAF层包括锰（Mn）、镓（Ga）和Ru。
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