[发明专利]用以使用量化金属形成与半导体的欧姆接触的方法有效
| 申请号： | 201580080401.5 | 申请日： | 2015-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107636804B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | B.朱-龚;V.H.勒;R.里奥斯;G.德维;S.B.克伦登宁;J.T.卡瓦利罗斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/45;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种装置包括包含至少一个低能态密度金属/半导体材料界面的集成电路器件，其中所述至少一个低能态密度金属被量化。一种装置包括包含低能态密度金属和半导体材料的至少一个界面的集成电路器件，其中界面处的金属的接触区域是缓变的。一种方法包括限制半导体材料的接触区域；以及在接触区域中形成金属接触。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 使用 量化 金属 形成 半导体 欧姆 接触 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：包括至少一个低能态密度金属/半导体材料界面的集成电路器件，其中所述至少一个低能态密度金属被量化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
