[发明专利]通过选择性氧化的多高度FINFET器件有效
| 申请号： | 201580080408.7 | 申请日： | 2015-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107683529B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | S·金;G·比马拉塞蒂;R·里奥斯;J·T·卡瓦列罗斯;T·加尼;A·S·默西;R·米恩德鲁 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法，包括：在衬底上形成多栅极器件的非平面导电沟道，沟道包括在衬底的表面处从基底定义的高度尺寸；修改沟道的小于整个部分；以及在沟道上形成栅极叠层，栅极叠层包括电介质材料和栅极电极。一种装置，包括在衬底上的非平面多栅极器件，非平面多栅极器件包括沟道和布置在沟道上的栅极叠层，沟道包括界定导电部分和氧化部分的高度尺寸，栅极叠层包括电介质材料和栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 选择性 氧化 高度 finfet 器件 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在衬底上形成多栅极器件的非平面导电沟道，所述沟道包括在所述衬底的表面处从基底定义的高度尺寸；修改所述沟道的小于整个部分；以及在所述沟道上形成栅极叠层，所述栅极叠层包括电介质材料和栅极电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580080408.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
