[发明专利]具有GAAS作为牺牲层的Ge纳米线晶体管

摘要

一种装置，包括三维半导体主体，三维半导体主体包括沟道区和布置在沟道区的相对侧上的结区，三维半导体主体包括多个纳米线，纳米线包括布置在结区中由第二材料分离的相应的平面中的锗材料，其中第二材料的晶格常数类似于锗材料的晶格常数；以及布置在沟道区上的栅极叠层，栅极叠层包括布置在栅极电介质上的栅极电极。一种方法，包括在衬底上的分离平面中形成多个纳米线，多个纳米线中的每个包括锗材料并通过牺牲材料与相邻纳米线分离；将栅极叠层布置在指定沟道区中的多个纳米线上，栅极叠层包括电介质材料和栅极电极。

主权项

一种装置，包括：三维半导体主体，其包括沟道区和布置在所述沟道区的相对侧上的结区，所述三维半导体主体包括：多个纳米线，其包括在所述结区中由第二材料分离的锗材料，其中所述第二材料的晶格常数类似于所述锗材料的晶格常数；以及栅极叠层，其布置在所述沟道区上，所述栅极叠层包括布置在所述栅极电介质上的栅极电极。