[发明专利]芯片上直通本体过孔电容器及其形成技术

摘要

公开了用于使用直通本体过孔（TBV）提供芯片上电容的技术。根据一些实施例，可以在半导体层内形成TBV，并且可以在TBV和周围半导体层之间形成电介质层。TBV可以用作TBV电容器的一个电极（例如阳极），并且电介质层可以用作该TBV电容器的电介质本体。在一些实施例中，半导体层用作TBV电容器的另一电极（例如，阴极）。为此，在一些实施例中，整个半导体层可以包括低电阻率材料，而在一些其他实施例中，可以仅沿着TBV局部的侧壁提供（一个或多个）低电阻率区，例如通过在那些（一个或多个）位置中进行的选择性掺杂。在其他实施例中，形成在电介质层和半导体层之间的传导层用作TBV电容器的另一电极（例如，阴极）。

主权项

一种包含电容器的集成电路，所述集成电路包括：半导体层；设置在所述半导体层内并且提供所述电容器的第一电极的第一直通本体过孔（TBV）；以及设置在所述第一TBV和所述半导体层之间的第一电介质层；其中，所述电容器的第二电极由以下中的任一项提供：所述半导体层的接近所述第一TBV的低电阻部分；或者设置在所述半导体层和所述第一TBV之间的传导层。