[发明专利]设计的硅衬底上的GAN器件有效
| 申请号： | 201580081242.0 | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107771352B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | S.达斯古普塔;H.W.特恩;M.拉多萨夫杰维奇;P.G.托尔钦斯基;R.S.周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8258;H01L27/06;H01L27/085 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 黄涛;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于适应和/或控制在大直径硅衬底上在III‑N生长期间引起的应力/应变的硅上GaN(GOS)结构和技术。硅衬底的背侧可被处理以使具有标准化直径和厚度的衬底适应于GOS应用。通过对硅衬底进行预处理以便以抵消由III‑N材料引起的应力和/或提高衬底吸收应力的能力的方式对衬底预加应力，可缓解在高温外延生长过程期间的弯曲和/或翘曲。在设计的GOS衬底上加工的III‑N器件可被与在分开的衬底上加工的硅MOS器件集成在一起。用于提高衬底弹性和/或抵消由III‑N材料引起的衬底应力的结构还可被用于将3D IC的III‑N和硅MOS器件互连。 | ||
| 搜索关键词： | 设计 衬底 gan 器件 | ||
【主权项】：
一种III‑N半导体器件结构，包括：一个或多个单晶III‑N半导体材料层，布置在硅衬底的前侧；微电子器件，布置在衬底前侧上方并且合并至少一个III‑N半导体材料层；和应力调节材料，布置在硅衬底的背侧，所述应力调节材料减小由所述一个或多个单晶III‑N半导体材料层引起的硅衬底中的弯曲。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580081242.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：固体聚合物电解质和包含其的电化学装置
- 下一篇：气柜
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
