[发明专利]用于有机封装衬底缩放的光刻限定的过孔有效
申请号: | 201580082574.0 | 申请日: | 2015-09-25 |
公开(公告)号: | CN107924900B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | A·A·埃尔谢尔比尼;H·布劳尼施;B·M·罗林斯;A·阿列克索夫;F·艾德;J·索托 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/60;H01L21/027 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的实施例包括导电过孔和用于形成导电过孔的方法。在一个实施例中,在第一电介质层之上形成过孔焊盘,并且在第一电介质层和过孔焊盘之上形成光致抗蚀剂层。然后,实施例可以包括图案化光致抗蚀剂层以在过孔焊盘之上形成过孔开口并且将导电材料沉积到过孔开口中以在过孔焊盘之上形成过孔。然后,实施例可以包括去除光致抗蚀剂层并且在第一电介质层、过孔焊盘和过孔之上形成第二电介质层。例如,在一些实施例中,第二电介质层的顶表面形成在过孔的顶表面上方。然后,实施例可以包括使第二电介质层凹进以暴露过孔的顶部部分。 | ||
搜索关键词: | 用于 有机 封装 衬底 缩放 光刻 限定 | ||
【主权项】:
一种形成导电过孔的方法,包括:在第一电介质层之上形成过孔焊盘;在所述第一电介质层和所述过孔焊盘之上沉积光致抗蚀剂层;图案化所述光致抗蚀剂层以在所述过孔焊盘之上形成过孔开口;将导电材料沉积到所述过孔开口中以在所述过孔焊盘之上形成过孔;去除所述光致抗蚀剂层;在所述第一电介质层、所述过孔焊盘和所述过孔之上形成第二电介质层,其中,所述第二电介质层的顶表面形成在所述过孔的顶表面上方;以及使所述第二电介质层凹进以暴露所述过孔的顶部部分。
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