[发明专利]薄膜晶体管的制造方法和薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201580083210.4 | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN108028283B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 宇津木觉;石田茂;高仓良平;松岛吉明;野寺伸武;松本隆夫 | 申请（专利权）人： | 堺显示器制品株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 杨黎峰;钟锦舜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够使特性的波动减小的薄膜晶体管的制造方法和薄膜晶体管。形成由非晶硅构成的第1硅层14，从成为TFT(薄膜晶体管)的构成物的规定区域内的一部分或全部到规定区域的外部照射能量束，使照射了能量束的部分变化为多晶硅。另外，以使规定区域残留的方式蚀刻第1硅层14，以覆盖蚀刻后的第1硅层14的方式形成由非晶硅构成的第2硅层15。第1硅层14和第2硅层15成为TFT的沟道层。多晶硅的位置不会由于照射位置的波动而波动，减小沟道层内的多晶硅的位置的波动，减小TFT的特性的波动。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包含：在基板的表面形成栅极的工序；在形成了栅极的所述基板的表面形成绝缘膜的工序；在形成了所述绝缘膜后形成由非晶硅构成的第1硅层的工序；在所述第1硅层上从具有规定面积的规定区域内的一部分或全部到所述规定区域的外部照射能量束而使所述第1硅层中的照射了所述能量束的部分变化为多晶硅的工序；对所述第1硅层进行蚀刻以使所述规定区域残留的第1蚀刻工序；覆盖蚀刻后的第1硅层并且在比所述第1硅层宽广的范围形成由非晶硅构成的第2硅层的工序；对所述第2硅层进行蚀刻以使覆盖所述第1硅层并且比所述第1硅层宽广的部分残留的第2蚀刻工序；和形成使所述第1硅层和所述第2硅层成为了沟道层的源极和漏极的电极形成工序。
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