[发明专利]使用富含铋的焊料的电子组合件有效
申请号: | 201580083334.2 | 申请日: | 2015-09-25 |
公开(公告)号: | CN108292610B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 刘丕林;P.K.穆图尔斯里纳;D.戈亚尔 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/48 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐予红;杨美灵 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一些形式涉及电子组合件,包含第一衬底,所述第一衬底具有安装在第一衬底的铜衬垫。电子组合件进一步包含第二衬底,所述第二衬底包含安装在第二衬底上的铜重分布层。电子组合件进一步包含富含铋的焊料,所述富含铋的焊料包含10‑40 w.t.%的锡。富含铋的焊料与铜衬垫和铜重分布层电接合。在一些形式中,铜重分布层是另一铜衬垫。第一衬底可包含存储器管芯以及第二衬底可包含逻辑管芯。在其它形式中,第一和第二衬底可以是各种不同的电子组件的部分。与第一和第二衬底关联的电子组件的类型将部分地取决于在其中电子组合件(连同其它因素一道)被利用的应用。 | ||
搜索关键词: | 使用 富含 焊料 电子 组合 | ||
【主权项】:
1.一种电子组合件,包括:第一衬底,其中铜衬垫安装在所述第一衬底;第二衬底,包含安装在所述第二衬底上的铜重分布层;以及富含铋的焊料,包含10‑40 w.t. %的锡,所述富含铋的焊料与所述铜衬垫和所述铜重分布层电接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造