[发明专利]具有增大的接触面积的半导体器件接触有效
| 申请号： | 201580083356.9 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN108028277B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | R.梅汉德鲁;T.加尼;廖思雅 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;闫小龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了半导体接触架构，其中接触金属延伸到进行接触的半导体层中，由此增加接触面积。偏移间隔部允许实现到半导体材料中的相对深的蚀刻。因此，不是仅仅半导体的平坦水平表面被暴露用于接触面积，而是相对长的垂直沟槽侧壁以及底壁被暴露且可用于接触面积。然后可以利用期望的接触金属来填充该沟槽。可以以促进高效接触沟槽蚀刻工艺的方式来实施接触被形成到其中的半导体层的掺杂，诸如通过例如利用沟槽蚀刻后掺杂或具有以下的半导体层：接触沟槽蚀刻所穿过的上部未掺杂区和下部掺杂S/D区。可以从最终结构移除该偏移间隔部。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增大 接触 面积 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底，其被配置有从衬底延伸的鳍状物，该鳍状物包括沟道区；该沟道区之上的栅极电极，其中在栅极电极和沟道区之间提供栅极电介质层并且在栅极电极的侧上提供栅极间隔部；源极和漏极区，其在鳍状物中或者在鳍状物上并邻近沟道区且包括半导体材料；延伸到源极和漏极区中的每一个中的沟槽；以及在源极和漏极区中的每一个中的沟槽内的接触金属。
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