[发明专利]具有反向掺杂的掺杂剂扩散屏障的高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201580083357.3 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN108028272B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | C.S.莫哈帕特拉;H.W.肯内尔;M.V.梅茨;G.杜威;W.拉赫马迪;A.S.墨菲;J.T.卡瓦列罗斯;T.加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王健;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 可以在设置于硅衬底之上的III‑V半导体材料的有源区中形成诸如晶体管之类的III‑V化合物半导体器件。III‑V半导体材料的反向掺杂的部分提供阻止从衬底到III‑V半导体材料中的硅扩散的扩散屏障，其中它否则可能在III‑V材料中表现为电活性两性污染物。在一些实施例中，在外延生长子鳍结构的基底部分期间，原位引入反向掺杂剂（例如，受主杂质）。在反向掺杂区限于子鳍结构的基底的情况下，反向掺杂剂原子热学扩散到III‑V晶体管的有源区中的风险被缓解。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反向 掺杂 扩散 屏障 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：设置在第一III-V半导体材料的鳍内的有源区；以及包括一个或多个第二III-V半导体材料的子鳍，所述第二III-V半导体材料具有与第一III-V半导体材料不同的III-V合金成分，所述子鳍设置在所述鳍和硅衬底之间，其中设置在衬底与子鳍的第二部分之间的子鳍的第一部分包括比第二部分更高浓度的非硅杂质。
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