[发明专利]包括附加迹线的半导体功率器件及制造半导体功率器件的方法有效
| 申请号： | 201580083426.0 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN108028242B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | J·P·H·法夫雷;J-M·F·雷尼斯;R·里瓦;B·J·C·杜特留德特东克 | 申请（专利权）人： | 敏捷电源开关三维集成APSI3D;IRT圣埃克苏佩里(AESE) |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 郑建晖;关丽丽 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体功率器件(100)和一种制造半导体功率器件的方法。所述半导体功率器件包括：第一衬底(110)、第二衬底(120)、堆叠件(130)和互连结构(140，141)。第一衬底包括第一表面上的第一图案化导电层和开关半导体元件(115)。第二衬底包括面向所述第一表面的第二表面和位于第二表面上的第二图案化导电层。堆叠件包括导电迹线(132)和电介质材料层(131)。电介质材料层被设置在所述第一图案化导电层或所述该第二图案化导电层上，且所述电介质材料层将所述导电迹线与设置有所述堆叠件的所述图案化导电层隔离。所述互连结构提供所述衬底的导电层或区域的至少一个电气连接。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 附加 半导体 功率 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率器件(100，300)，包括：-第一衬底(110，400)，所述第一衬底(110，400)包括开关半导体元件(115，415，465，465’，465”)和第一图案化导电层(112，113，412)，所述第一衬底(110，400)具有第一表面(111)，所述第一图案化导电层(112，113，412)设置在所述第一表面(111)上，所述开关半导体元件(115，415，465，465’，465”)被设置在所述第一图案化导电层(112，113，412)上，-第二衬底(120，450)，所述第二衬底(120，450)包括第二图案化导电层(122，422)和面向所述第一表面(111)的第二表面(121)，所述第二图案化导电层(122，422)被设置在所述第二表面(121)上，-导电迹线(132，432)和电介质材料层(131，431)的堆叠件(130，430)，所述电介质材料层(131，431)被至少部分地设置在所述第一图案化导电层(112，113，412)或所述第二图案化导电层(122，422)上，所述电介质材料层(131，431)将所述导电迹线(132，432)与设置有所述堆叠件(130，430)的所述图案化导电层(112，122，113，412，422)隔离，-互连结构(140，141，440，440’，441，441’)，用于提供位于一侧的所述第一图案化导电层(112，113，412)、所述开关半导体元件(115)的表面或所述导电迹线(132，432)与位于另一侧的所述第二图案化导电层(122，422)或所述导电迹线(132，432)之间的至少一个电气连接。
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