[发明专利]使能对用于半导体封装的硅桥的在线测试的保护环设计有效
| 申请号： | 201580083473.5 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN108140615B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | A·萨卡尔;S·沙兰;D-W·金 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了使能对用于半导体封装的硅桥的在线测试的保护环设计以及所得到的硅桥和半导体封装。在示例中，半导体结构包括具有设置在其上的绝缘层的衬底。金属化结构设置在所述绝缘层上。所述金属化结构包括设置在电介质材料堆叠体中的导电布线。所述半导体结构还包括设置在电介质材料堆叠体中并且围绕所述导电布线的第一金属保护环。所述第一金属保护环包括多个个体保护环段。所述半导体结构还包括设置在所述电介质材料堆叠体中并且围绕所述第一金属保护环的第二金属保护环。电测试特征设置在电介质材料堆叠体中、在所述第一金属保护环与所述第二金属保护环之间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 封装 在线 测试 保护环 设计 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底具有设置在其上的绝缘层；金属化结构，所述金属化结构设置在所述绝缘层上，所述金属化结构包括设置在电介质材料堆叠体中的导电布线；第一金属保护环，所述第一金属保护环设置在所述电介质材料堆叠体中并围绕所述导电布线，所述第一金属保护环包括多个个体保护环段；第二金属保护环，所述第二金属保护环设置在所述电介质材料堆叠体中并围绕所述第一金属保护环；以及电测试特征，所述电测试特征设置在所述电介质材料堆叠体中、在所述第一金属保护环与所述第二金属保护环之间，所述电测试特征通过穿过所述第一金属保护环的金属线耦合到所述导电布线。
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