[发明专利]具有集成在封装构造上的化合物半导体器件的微电子器件与高频通信模块在审
| 申请号： | 201580084743.4 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108292650A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | G.C.多贾米斯;T.坎加英;J.A.法尔孔;Y.富太;V.K.奈尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66;H01L23/28;H01L25/065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施例包括一种微电子器件，其包括：利用基于硅的衬底形成的第一管芯和耦合到第一管芯的第二管芯。该第二管芯是在不同衬底（例如化合物半导体衬底、III‑V族衬底）中利用化合物半导体材料形成的。天线单元耦合到第二管芯。该天线单元以近似4GHz或更高的频率来发送和接收通信。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 第二管 微电子器件 天线单元 耦合到 管芯 化合物半导体材料 化合物半导体器件 高频通信模块 化合物半导体 封装构造 接收通信 近似 发送 | ||
【主权项】：
1.一种微电子器件，包括：利用基于硅的衬底形成的第一管芯；耦合到第一管芯的第二管芯，该第二管芯是在不同的衬底中利用化合物半导体材料形成的；以及耦合到第二管芯的天线单元，该天线单元用于以近似4GHz或更高的频率来发送和接收通信。
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