[发明专利]设计有包括集成在封装上的管芯结构上的化合物半导体器件的高频通信器件的微电子器件有效
| 申请号： | 201580084755.7 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108292648B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | G·C·多吉阿米斯;T·卡姆嘎因;E·J·李;J·A·法尔孔;Y·富田;V·K·奈尔;S·M·利夫 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例包括微电子器件，其包括具有基于硅的衬底的第一管芯和耦合到第一管芯的第二管芯。在一个示例中，利用化合物半导体材料形成第二管芯。微电子器件包括利用多个电连接耦合到第一管芯的衬底。衬底包括用于在大约4GHz或更高的频率下发送和接收通信的天线单元。 | ||
| 搜索关键词： | 设计 包括 集成 装上 管芯 结构 化合物 半导体器件 高频 通信 器件 微电子 | ||
【主权项】：
1.一种微电子器件，包括：第一管芯，其具有基于硅的衬底；第二管芯，其耦合到所述第一管芯，所述第二管芯利用化合物半导体材料形成在不同的衬底中；以及衬底，其利用多个连接耦合到所述第一管芯，所述衬底包括用于在大约4GHz或更高的频率下发送和接收通信的天线单元。
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