[发明专利]用于IGZO非平面器件的环绕式导电金属氧化物接触部的制作有效
| 申请号： | 201580084765.0 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN108292672B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | V·H·勒;R·里奥斯;G·杜威;J·T·卡瓦列罗斯;M·拉多萨夫列维奇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例包括非平面InGaZnO(IGZO)晶体管和形成这种器件的方法。在实施例中，IGZO晶体管可以包括衬底和形成于衬底上方的IGZO鳍状物。实施例可以包括邻近IGZO鳍状物的不止一个表面形成的源极接触部和漏极接触部。此外，实施例可以包括形成于源极接触部和漏极接触部之间的栅极电极。栅极电极可以通过栅极电介质与IGZO层隔开。在一个实施例中，所述IGZO晶体管是鳍式场效应晶体管。在另一实施例中，所述IGZO晶体管是纳米线或者纳米带晶体管。本发明的实施例还可以包括形成于集成电路芯片的后段工艺堆叠体(BEOL)中的非平面IGZO晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 igzo 平面 器件 环绕 导电 金属 氧化物 接触 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；形成于所述衬底上方的InGaZnO(IGZO)鳍状物；邻近所述IGZO鳍状物的不止一个表面形成的源极接触部；邻近所述IGZO鳍状物的不止一个表面形成的漏极接触部；以及形成于所述源极接触部和所述漏极接触部之间的栅极电极，其中，所述栅极电极通过栅极电介质与所述IGZO层隔开。
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