[发明专利]微发光二极管转移方法及制造方法有效
| 申请号： | 201580085204.2 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN108431971B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L21/677;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 杨国权;李慧 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微发光二极管转移方法及制造方法。微发光二极管转移方法包括：在承载衬底上涂覆牺牲层，其中，微发光二极管通过第一接合层被接合在承载衬底上(S1100)；对牺牲层进行构图，以暴露要拾取的微发光二极管(S1200)；通过第二接合层将要拾取的微发光二极管接合到拾取衬底(S1300)；通过侧向钻蚀去除牺牲层(S1400)；从承载衬底剥离要拾取的微发光二极管(S1500)；通过第三接合层将拾取衬底上的微发光二极管接合到接收衬底(S1600)；以及从拾取衬底剥离所述微发光二极管(S1700)。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 转移 方法 制造 | ||
【主权项】：
1.一种微发光二极管转移方法，包括：在承载衬底上涂覆牺牲层，其中，微发光二极管通过第一接合层被接合在承载衬底上；对牺牲层进行构图，以暴露要拾取的微发光二极管；通过第二接合层将要拾取的微发光二极管接合到拾取衬底；通过侧向钻蚀去除牺牲层；从承载衬底剥离要拾取的微发光二极管；通过第三接合层将拾取衬底上的微发光二极管接合到接收衬底；以及从拾取衬底剥离所述微发光二极管。
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