[发明专利]混合微电子衬底及用于制造其的方法有效
| 申请号： | 201580085212.7 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN108369944B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | R.斯塔克森;R.L.桑克曼;S.M.莫克勒;R.C.斯塔迈 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种混合微电子衬底可通过在更低密度微电子衬底中结合高密度微电子贴片衬底来形成。混合微电子衬底可允许具有高密度互连的微电子装置到混合微电子衬底的高密度微电子贴片衬底部分的直接倒装芯片附连，同时允许不要求高密度互连的区域中的更低密度互连和电气线路。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 微电子 衬底 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种混合微电子衬底，包括：高密度微电子贴片衬底，具有第一表面、相反的第二表面和至少一侧；以及更低密度微电子衬底，其中，所述高密度贴片衬底嵌入所述更低密度微电子衬底的第一介电层中，其中所述更低密度微电子衬底的第一介电材料层邻接所述高密度微电子贴片衬底的所述第二表面和所述至少一侧，并且其中所述更低密度微电子衬底中的多个导电线路的至少一个在所述高密度微电子贴片衬底第二表面与所述高密度微电子贴片衬底中的多个导电线路的至少一个电接触。
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