[其他]可变电容器有效
申请号: | 201590000259.4 | 申请日: | 2015-03-17 |
公开(公告)号: | CN206134667U | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 中矶俊幸;坂井宣夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L27/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 舒艳君,李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本实用新型涉及可变电容器,该可变电容器具有半导体基板(10)、设置在该半导体基板(10)的主面上的再布线层(50)、以及设置于再布线层(50)的安装面上且包括第一输入输出端子(P1)、第二输入输出端子(P2)、接地端子(GND)及控制电压施加端子的多个端子电极(PE),在再布线层(50)形成有由分别与第一输入输出端子(P1)及第二输入输出端子(P2)连接的一对电容器电极、以及配置于一对电容器电极间的铁电体薄膜所构成的铁电体薄膜型的可变电容元件部(VC),在半导体基板(10)的主面形成有连接于第一输入输出端子(P1)或第二输入输出端子(P2)与接地端子(GND)之间的ESD保护元件(ESDP1、ESDP2)。 | ||
搜索关键词: | 可变电容器 | ||
【主权项】:
一种可变电容器,其特征在于,具有:半导体基板;设置在该半导体基板的主面上的再布线层;以及包括第一输入输出端子、第二输入输出端子以及接地端子的多个端子电极,在所述再布线层形成有铁电体薄膜型的可变电容元件部,该可变电容元件部由分别与所述第一输入输出端子以及所述第二输入输出端子连接的一对电容器电极、和在所述一对电容器电极之间配置的铁电体薄膜构成,在所述半导体基板形成有连接于所述第一输入输出端子或第二输入输出端子与所述接地端子之间的ESD保护元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造