[发明专利]一种LED芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201610000815.9 | 申请日： | 2016-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN105655461A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 薛生杰;金豫浙;冯亚萍;李佳佳;李志聪;孙一军;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/14 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种LED芯片及其制造方法，属于半导体领域，本发明第二金属电极下方区域外延层被刻蚀减薄，形成第二沟槽；于第二沟槽内沉积第二金属电极；第二沟槽的设置，可增加第二金属电极与第二沟槽内裸露外延层的接触面积，间接降低接触电阻，进而降低LED芯片的工作电压；第二沟槽还可增加第二金属电极与第二沟槽内裸露外延层接触面积，可提高第二金属电极的粘附性，进而提升LED芯片的可靠性；第二沟槽的设置使第二金属电极与第二沟槽内裸露外延层间的功函数差增大，形成高阻肖特基接触，具有电流阻挡作用，可改善电流横向扩展能力，提高LED芯片电流分布均匀性，减缓LED芯片在大电流下的饱和速度，达到提升LED芯片亮度与光效的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，在衬底一侧依次外延设置第一半导体层、有源层、电子阻挡层、第二半导体层和欧姆接触层；其特征在于：第一金属电极和第二金属电极设置在远离衬底的同一侧；第一金属电极欧姆接触于第一半导体层上，第二金属电极高阻肖特基接触于第二半导体层上；在第二金属电极的外侧设置透明导电层，在远离衬底的芯片表面设置绝缘钝化层。
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