[发明专利]包括光抽取结构的III-V发光器件有效
| 申请号： | 201610001527.5 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN105405944B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | A.J.F.戴维;M.R.克拉梅斯;M.B.麦克劳林 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/18;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 初媛媛;景军平 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 包括光抽取结构的III‑V发光器件。本发明的实施例包括衬底，该衬底包括主体和粘结到主体的晶种层以及半导体结构，该半导体结构包括置于生长在晶种层上的P型区与n型区之间的发光层。在垂直于半导体结构的生长方向的方向上的折射率变化设在主体与发光层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 抽取 结构 iii 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，包括：衬底，包括：主体，和晶种层，其粘结到所述主体上，所述晶种层包括第一表面和第二表面，第一表面被图案化有孔的周期性晶格或栅格；设置在晶种层的第一表面上的材料，所述材料具有不同于晶种层的折射率；以及生长于所述晶种层的第二表面上的半导体结构，所述半导体结构包括置于半导体层上方n型区与p型区之间的发光层；其中在垂直于所述半导体结构的生长方向的方向上的折射率变化设置在所述主体与所述发光层之间，所述折射率变化包括所述孔的周期性晶格或栅格，以及填充孔的周期性晶格或栅格的所述材料的部分。
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