[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有多个栅极结构，在栅极结构的侧壁上形成有侧墙结构；在半导体衬底上沉积多晶硅层，覆盖栅极结构和侧墙结构，以实现栅极结构与栅极结构或栅极结构与源漏区的互连；在多晶硅层上沉积牺牲层，以填充栅极结构之间的间隙，并在牺牲层上沉积硬掩膜层；在硬掩膜层中形成开口，以露出牺牲层，并在所述开口的侧壁上形成牺牲侧墙；以硬掩膜层和牺牲侧墙为掩膜，依次去除露出的牺牲层和多晶硅层；依次去除硬掩膜层、牺牲侧墙和剩余的牺牲层。根据本发明，可以缩小去除露出的多晶硅层的工艺窗口。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：/n提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个栅极结构，在所述栅极结构的侧壁上形成有侧墙结构；侧墙结构包括位于所述栅极结构两侧的偏移侧墙和位于所述偏移侧墙外侧的主侧墙；/n在所述半导体衬底上沉积多晶硅层，覆盖所述栅极结构和所述侧墙结构，以实现栅极结构与栅极结构或栅极结构与源漏区的互连；/n在所述多晶硅层上沉积牺牲层，以填充所述栅极结构之间的间隙，并在所述牺牲层上沉积硬掩膜层；/n在所述硬掩膜层中形成开口，以露出所述牺牲层，并在所述开口的侧壁上形成牺牲侧墙；/n以所述硬掩膜层和所述牺牲侧墙为掩膜，依次去除露出的所述牺牲层和所述多晶硅层，以完成内连多晶硅层的制作；/n依次去除所述硬掩膜层、所述牺牲侧墙和剩余的所述牺牲层。/n