[发明专利]共阳极肖特基半导体的封装工艺

摘要

本发明公开了一种共阳极肖特基半导体的封装工艺，包括以下步骤：(A)使用绝缘陶瓷烧结粘合工艺完成双载体部分与散热片部分的粘合；(B)使用高导热软焊料芯片焊接工艺完成上芯；(C)通过焊线键合共联技术，将芯片阳极与框架阳极通过导线相连并完成导线压焊；(D)塑封、去溢料、电镀、切筋分粒成型、测试及包装。使用普通肖特基芯片，采用双载体部分和散热片部分加陶瓷绝缘的方法，实现了散热片与阴极绝缘，双基岛式载体区实现阴极分离，阳极共用；利用现有设备，普通芯片实现了共阳极封装，满足了市场需求，降低了生产成本，使产品可靠性得到保障，解决了普通肖特基芯片难以实现共阳极封装的难题。

主权项

1.一种共阳极肖特基半导体的封装工艺，共阳极肖特基半导体引线框架由双载体部分和散热片部分通过绝缘陶瓷烧结粘合在一起，所述双载体部分是由N个双载体单元依次排列组成的长条，散热片部分是由N个散热片单元依次排列组成的长条，每个双载体单元包括两个独立设置的基岛(1)和三个I/O管脚(2)，每个基岛(1)上焊接有一个肖特基芯片(3)，两个肖特基芯片(3)的阳极通过焊线键合共联方式与双载体单元的框架阳极(4)相连，所述框架阳极(4)居中设置在两个肖特基芯片(3)的正下方，使得位于左右两侧的I/O管脚(2)为阴极，位于中间的I/O管脚(2)为阳极，其特征在于，所述共阳极肖特基半导体的封装工艺包括以下步骤：(A)使用绝缘陶瓷烧结粘合工艺完成双载体部分与散热片部分的粘合将双载体部分与散热片部分在360～400℃的高温轨道中加热，并通有氮氢混合保护气体，再将双载体部分与散热片部分通过绝缘陶瓷烧结粘合在一起构成引线框架；(B)使用高导热软焊料芯片焊接工艺完成上芯将引线框架在330～380℃高温的轨道中加热，并通有氮氢混合保护气体，再通过高导热软焊料将两个肖特基芯片焊接在各自对应的基岛上；(C)通过焊线键合共联技术，将芯片阳极与框架阳极通过导线相连并完成导线压焊通过导线将两个肖特基芯片的阳极分别与框架阳极相连，并使用超声波压焊工艺完成导线压焊；(D)塑封、去溢料、电镀、切筋分粒成型、测试及包装所述塑封，先将引线框架预热到165～175℃，在引线框架预热温度与塑封模具的温度相差±5℃时进行上料，再合模注塑，脱模后进行固化处理。