[发明专利]鳍式半导体器件的形成方法

摘要

一种鳍式半导体器件的形成方法，包括：提供包括电路区和存储区的衬底，电路区和存储区的衬底表面分别具有鳍部；在衬底表面形成隔离层，隔离层表面低于鳍部的顶部表面；在隔离层和鳍部表面形成介质层，存储区的介质层内具有横跨鳍部的第一沟槽，第一沟槽暴露出存储区的部分鳍部侧壁和顶部表面，电路区的介质层内具有横跨鳍部的第二沟槽，第二沟槽暴露出电路区的部分鳍部侧壁和顶部；在第一沟槽底部的鳍部侧壁和顶部上形成第一栅介质层；在第二沟槽底部的鳍部侧壁和顶部上、以及第一栅介质层表面形成第二栅介质层；之后，在第一沟槽内形成第一栅极，在第二沟槽内形成第二栅极。减少鳍式半导体器件内的漏电流，提高鳍式半导体器件的稳定性。

主权项

1.一种鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括电路区和存储区，所述电路区和存储区的衬底表面分别具有鳍部；在所述衬底表面形成隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁，且所述隔离层表面低于所述鳍部的顶部表面；在所述隔离层和鳍部表面形成介质层，所述存储区的介质层内具有横跨所述鳍部的第一沟槽，所述第一沟槽暴露出存储区的部分鳍部侧壁和顶部表面，所述电路区的介质层内具有横跨所述鳍部的第二沟槽，所述第二沟槽暴露出电路区的部分鳍部侧壁和顶部；在所述第一沟槽底部的鳍部侧壁和顶部上形成第一栅介质层；在第二沟槽底部的鳍部侧壁和顶部上、以及所述第一栅介质层表面形成第二栅介质层；在形成所述第二栅介质层之后，在所述第一沟槽内形成第一栅极，在所述第二沟槽内形成第二栅极。