[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610006691.5 | 申请日： | 2016-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN106952830B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 高长城;陈其道;张京晶 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成垫块，所述垫块包括与所述衬底相对的第一面、与第一面相对的第二面以及位于第一面和第二面之间的侧面，所述第二面与侧面相接处为棱边；采用含氢反应物形成覆盖所述衬底和所述棱边的介质层，所述介质层中含有硅氢键，所述介质层包括：覆盖衬底和所述棱边的第一介质层，所述第一介质层中硅氢键所占的摩尔百分比小于2.8％。其中，通过减少所述第一氮化硅层中硅氢键的含量，使第一氮化硅层不容易产生悬挂键，从而增加氮化硅层的稳定性；此外，低硅氢键含量的氮化硅薄膜在外界作用下翘曲变形小，因此使氮化硅层不容易产生裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成垫块，所述垫块包括与所述衬底相对的第一面、与第一面相对的第二面以及位于第一面和第二面之间的侧面，所述第二面与侧面相接处为棱边；采用含氢反应物形成覆盖所述衬底和所述棱边的介质层，所述介质层中含有硅氢键，所述介质层包括：覆盖衬底和所述棱边的第一介质层，所述第一介质层中硅氢键所占的摩尔百分比小于2.8％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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