[发明专利]显示基板及其制作方法和显示装置在审
申请号: | 201610006929.4 | 申请日: | 2016-01-05 |
公开(公告)号: | CN105575893A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 朱夏明 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L29/43 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种显示基板及其制作方法和显示装置,上述方法包括:在透明基底之上的第一区域形成第一栅极;在所述第一栅极之上形成透明栅绝缘层;在所述栅绝缘层之上形成透明有源层;在所述有源层之上的第二区域形成透明源极和漏极,所述第一区域和第二区域不重叠;在所述源极和漏极之上形成钝化层;在所述钝化层之上的第一区域形成第二栅极。通过本发明的技术方案,可以直接以第一栅极作为掩膜来形成透明源极和漏极,并以第一栅极作为掩膜来形成第二栅极,以改善显示基板上的薄膜晶体管器件的跨导、亚阈值摆幅和寄生电容等电学性能。 | ||
搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种显示基板制作方法,其特征在于,包括:在透明基底之上的第一区域形成第一栅极;在所述第一栅极之上形成透明栅绝缘层;在所述栅绝缘层之上形成透明有源层;在所述有源层之上的第二区域形成透明源极和漏极,所述第一区域和第二区域不重叠;在所述源极和漏极之上形成钝化层;在所述钝化层之上的第一区域形成第二栅极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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