[发明专利]一种CMOS图像传感器的制造方法

摘要

一种CMOS图像传感器的制造方法，包括：提供基底，基底上包括第一区域；提供第一掩模版；以第一掩模版为掩模在基底上形成第一图形化掩膜层，暴露出第一区域，第一区域具有与转移晶体管相邻的第一端；以第一图形化掩膜层为掩模，在第一区域形成第一导电类型的第一注入区；在第一注入区内形成第二导电类型的第二注入区，将第一注入区分隔为第三注入区和第四注入区；提供第二掩模版；以第二掩模版为掩模在基底上形成第二图形化掩膜层，暴露出第一区域的第一端；以第二图形化掩膜层为掩模，在第一区域的第一端形成第一导电类型的第五注入区，将第三注入区和第四注入区电学连接。提高像素单元的满阱容量及电荷传输效率、减小图像延迟。

主权项

1.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上包括第一区域，所述第一区域为待形成感光元件的区域；提供第一掩模版；以第一掩模版为掩模在所述基底上形成第一图形化掩膜层，暴露出所述第一区域，所述第一区域具有与CMOS图像传感器的转移晶体管相邻的第一端；以第一图形化掩膜层为掩模，通过离子注入方式在第一区域形成第一注入区，所述第一注入区为第一导电类型；通过离子注入方式在第一注入区内形成第二注入区，所述第二注入区为第二导电类型，所述第二导电类型与第一导电类型相反，剩余的第一注入区被第二注入区分隔为位于第二注入区之上的第三注入区和位于第二注入区之下的第四注入区；提供第二掩模版；以第二掩模版为掩模在所述基底上形成第二图形化掩膜层，暴露出所述第一区域的第一端；以第二图形化掩膜层为掩模，通过离子注入方式在所述第一区域的第一端形成第五注入区，所述第五注入区为第一导电类型，所述第五注入区将第三注入区和第四注入区电学连接；在形成所述第五注入区之前或者之后，利用第二掩模版在靠近基底表面处以离子注入的方式形成第六注入区。