[发明专利]显示器件有效
申请号: | 201610009295.8 | 申请日: | 2010-10-22 |
公开(公告)号: | CN105655351B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 高桥圭;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G09G3/3233;H01L27/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 肖靖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种显示器件,包括包含多个像素的像素部分,每个像素都包括第一晶体管、第二晶体管及发光元件,在该显示器件中,第一晶体管的栅极与扫描线电连接,第一晶体管的源极和漏极之一与信号线电连接,第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的栅极电连接;第二晶体管的源极和漏极之一与电源线电连接,它们中的另一个与发光元件电连接,第一晶体管包括氧化物半导体层。显示器件显示静止图像的时段包括其中停止向像素部分内的全部扫描线输出信号的时段。 | ||
搜索关键词: | 显示 器件 | ||
【主权项】:
1.一种显示器件,包括:像素部分,包括多个像素,每个像素包括第一晶体管、第二晶体管以及发光元件;驱动电路部分,用于驱动所述像素部分;以及显示控制电路,用于控制对所述驱动电路部分供应图像信号,其中,所述第一晶体管的栅极与扫描线电连接,其中,所述第一晶体管的源极和漏极之一与信号线电连接,其中,所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第二晶体管的栅极电连接,其中,所述第二晶体管的源极和漏极之一与电源线电连接,所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述发光元件电连接,其中,所述第一晶体管包括第一氧化物半导体层,该第一氧化物半导体层包括沟道形成区,其中,所述第一氧化物半导体层包括铟、镓和锌,其中,所述第一氧化物半导体层是结晶的,并且其中,所述沟道形成区中每1μm的沟道宽度的截止电流为1×10‑17A/μm或更小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的