[发明专利]赤霉素GA4+7的高产菌株及其应用在审
| 申请号： | 201610009477.5 | 申请日： | 2016-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN105441340A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 纪晓俊;彭辉;施天穹;黄和 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | C12N1/14 | 分类号： | C12N1/14;C12P27/00;C12R1/77 |
| 代理公司： | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人： | 袁静 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供赤霉素GA4+7的高产菌株及其应用，属于生物工程技术领域。该菌株为藤仓赤霉（Fusarium fujikuroi）NJtech 02，保藏编号为CCTCC NO: M2015614。本发明还提供采用所述菌株制备赤霉素GA4+7的方法，包括将所述菌株NJtech 02接种至发酵培养基，双阶段发酵培养的步骤；发酵前期，培养温度27~29℃，摇床转速200~250rpm，控制发酵液pH4.0~5.0，培养时间12-48h；发酵后期，培养温度30~32℃，摇床转速300~400rpm，控制发酵液pH6.5~7.5，培养时间3-5天。本发明菌株能够在较短时间内生产较高产量GA4+7。 | ||
| 搜索关键词： | 赤霉素 ga sub 高产 菌株 及其 应用 | ||
【主权项】：
赤霉素GA4+7的高产菌株，该菌株为藤仓赤霉（Fusarium fujikuroi）NJtech 02，保藏编号为CCTCC NO: M2015614。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京工业大学，未经南京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610009477.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
