[发明专利]块体及SOI半导体装置的共集成有效
| 申请号： | 201610009561.7 | 申请日： | 2016-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN105789138B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | P·巴尔斯;H-P·摩尔;J·亨治尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及一种块体及SOI半导体装置的共集成。一种形成半导体装置结构的方法，包括：提供具有绝缘体上半导体(semiconductor‑on‑insulator；SOI)配置的衬底，该SOI衬底包括形成于氧化物埋层(buried oxide layer；BOX层)上的半导体层，该BOX层设于半导体块体衬底上，形成沟槽隔离结构，以在该SOI衬底内划定第一区及第二区，移除该第一区中的该半导体层及该BOX层，以暴露该第一区内的该半导体块体衬底，在该第一区中的该暴露半导体块体衬底中及上方形成具有电极的第一半导体装置，在该第二区中形成第二半导体装置，该第二半导体装置包括设于该第二区中的该半导体层及该BOX层上方的栅极结构，以及执行抛光制程，以定义该电极与该栅极结构大体延伸至的共同高度水平。 | ||
| 搜索关键词： | 块体 soi 半导体 装置 集成 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体装置结构的方法，该方法包括：提供具有绝缘体上半导体(semiconductor‑on‑insulator；SOI)配置的衬底，该SOI衬底包括形成于氧化物埋层(buried oxide layer；BOX层)上的半导体层，该BOX层设于半导体块体衬底上；形成沟槽隔离结构，以在该SOI衬底内划定第一区及第二区；移除该第一区中的该半导体层及该BOX层，以暴露该第一区内的该半导体块体衬底；在该第一区中的该暴露半导体块体衬底中及上方形成具有电极的第一半导体装置；在该第二区中形成第二半导体装置，该第二半导体装置包括设于该第二区中的该半导体层及该BOX层上方的栅极结构；以及执行抛光制程，以定义该电极与该栅极结构二者延伸至的共同高度水平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
