[发明专利]场效应晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201610010064.9 | 申请日： | 2009-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN105575803B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 赤松泰彦;武井应树;清田淳也;石桥晓;汤川富之;小林大士;仓田敬臣;新井真 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/203;H01L21/324;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 | 代理人： | 韩登营;高伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，其无需进行高温退火处理也能提高晶体管特性。采用溅射法用100℃以上的成膜温度形成构成活性层的In‑Ga‑Zn‑O薄膜。再用300℃的温度在大气中进行退火处理。实施退火处理的目的是提高刚刚形成的活性层的晶体管特性。与未经加热而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜相比，一边加热基材一边采用溅射法而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜的内应变或缺陷较少。因此，与未经加热而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜相比，将经加热而形成的相同材料薄膜作为活性层时可提高退火效果。因而本发明可通过低温退火处理形成具有优异晶体管特性的活性层。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管的制造方法，其特征在于，在将基材加热到了100℃以上200℃以下的温度状态下，采用氧气气压条件为0.02Pa以上0.28Pa以下的溅射法在所述基材上形成活性层，其中，该活性层具有In‑Ga‑Zn‑O系成分，以300℃以上不到400℃的加热温度条件对所形成的所述活性层进行退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
