[发明专利]一种微米级半导体传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610011175.1 | 申请日： | 2016-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN105699429A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 张一茗;王小华;闫广超;宋亚凯;穆广祺;荣命哲;郭煜敬;谭盛武;袁端磊;王礼田;李少华;曹明德;蒋晓旭;高群伟;张文涛;尉镔;张明礼;刘璐;宋述停;吕品雷 | 申请（专利权）人： | 平高集团有限公司;国家电网公司;国网山西省电力公司;西安交通大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;H01L21/308 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 牛爱周 |
| 地址： | 467001 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微米级半导体传感器及其制备方法，属于半导体传感器制造技术领域。本发明的微米级半导体传感器的制备方法包括如下步骤：在硅板上溅射铝膜，在铝膜上涂光刻胶，在光刻胶上覆盖掩膜版，曝光，去除掩膜版，显影，得到铝光刻硅板；采用刻蚀剂对得到的铝光刻硅板的硅板进行刻蚀，然后去除光刻胶，即得。本发明的微米级半导体传感器电极的制备方法加工精度高，而且该方法加工效率高，适合于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微米 半导体 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种微米级半导体传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在硅板上溅射铝膜，在铝膜上涂光刻胶，在光刻胶上覆盖掩膜版，曝光，去除掩膜版，显影，得到铝光刻硅板；2)采用刻蚀剂对步骤1)得到的铝光刻硅板的硅板进行刻蚀，然后去除光刻胶，即得。
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