[发明专利]一种不同涨落源对器件电学特性影响幅度的提取方法有效

专利信息
申请号: 201610014931.6 申请日: 2016-01-11
公开(公告)号: CN105652175B 公开(公告)日: 2018-07-13
发明(设计)人: 王润声;蒋晓波;黄如 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 代理人: 贾晓玲
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种不同涨落源对器件电学特性影响幅度的提取方法,属于微电子器件领域。该提取方法利用每个器件的转移曲线Id‑Vg,从曲线上提取得到各个器件的阈值电压Vth和亚阈摆幅SS;从而得到分离后的不同涨落源LER和WFV所造成的器件阈值电压Vth涨落的大小。采用本发明可以实现对涨落源影响幅度加以评估和比较,为工艺优化提供一个很好的指导方向。
搜索关键词: 涨落 影响幅度 电学特性 器件阈值电压 微电子器件 工艺优化 亚阈摆幅 阈值电压 评估
【主权项】:
1.一种不同涨落源对器件电学特性影响幅度的提取方法,其特征在于,包括:1)测量器件的转移曲线Id‑Vg,从曲线上提取得到器件的阈值电压Vth和亚阈摆幅SS;2)计算Vth和SS的方差σ2(Vth)、σ2(SS),以及Vth和SS的协方差Σ;3)由公式得到LER造成的阈值电压涨落幅度σ(δVth,LER),其中,k为常数,由公式计算得到系数k的值;4)由公式得到金属功函数涨落WFV造成的阈值电压涨落幅度σ(δVth,WFV)。
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