[发明专利]硒化铜空心管状多级结构材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201610015038.5 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN105513806B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 王敏;宰建陶;钱雪峰;陈文龙;黄守双;何青泉;李波;李晓敏;马对;刘雪娇;刘园园;张洋;张敏敏 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及硒化铜空心管状多级结构材料及其制备方法和应用，采用常温离子交换法，制备了具有大比表面积，由超薄纳米片组装的硒化铜空心管状材料。通过刮涂法制作成量子点敏化太阳能电池的对电极，组装成三明治结构的量子点敏化太阳能电池。所合成的Cu2‑XSe的性能远远高于传统的Cu2S/黄铜片和Pt对电极。与现有技术相比，本发明的方法避免了设备昂贵、不易于大面积沉积等缺点，具有设备要求简单，适合工业化大规模生产等优点，同时该方法为制备其他材料的染料敏化太阳能电池对电极提供了可以借鉴的思路。 | ||
| 搜索关键词： | 硒化铜 空心 管状 多级 结构 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
硒化铜空心管状多级结构材料的制备方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：(1)制备氢氧化铜阵列和硒离子前驱体溶液；(2)将氢氧化铜阵列浸入0.005‑0.02mol/L的硒离子前驱体溶液中反应1‑60分钟；(3)将步骤(2)处理过的阵列浸泡到4‑6mol/L的氨水溶液中，除去残余的氢氧化铜模板，即获得硒化铜空心管阵列结构，将阵列从铜片上刮下即获得硒化铜空心管状多级结构材料；该材料为由不规则的超薄硒化铜片组装而成的一维空心管状多级结构，其中空心管的直径为500nm‑700nm，其空心的直径为100nm‑200nm。
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