[发明专利]DRAM不良晶粒的回收再利用方法

摘要

一种DRAM不良晶粒的回收再利用方法，在晶圆测试时对基本存储单元功能测试，记录不良区域的分布情况，事先筛选相同不良类型Bin，在做封装时只挑选出对应类型的半容量晶粒，避免无用晶粒被封装。同时采用特殊的邦线方式（Wire Bonding），并修改自动测试设备测试程序对封装好的芯片颗粒进行针对性的测试。其优点是，成本低、兼容性强，同时，通过回收利用半容量芯片，可提高产品产出率，增加企业收益。减少了一半的封装成本的浪费，在测试时仅需要针对一种半容量模式进行测试，节省测试成本高达75%。

主权项

一种DRAM不良芯片的回收再利用方法，其特征在于包括如下步骤：1)在晶圆测试过程中，根据正常全容量测试过程出现失效的地址范围，对每颗芯片做出初步分类，并在晶圆对位图对每颗芯片做出标记；2)在芯片贴片时通过晶圆对位图将相同类型半容量的芯片抓取贴到同一个基板上，并将不同类别芯片分别放置；3)针对每种类型的半容量芯片，定制对应的专用邦线方式，让对应地址线在芯片内部强制连接到低电平或者高电平;所述专用邦线方式，对于不同的地址邦线修改方式可以产生左半好芯片（H1)、右半好芯片(H2)、上半好芯片(H5)、下半好芯片(H6)不同组合Bin的半容量芯片；对于左半好芯片，将上半好芯片的（A15）邦线点从其（A15）输入端改为直接接地VSS；右半好芯片则是（A15）接电压源VDD；对于Bin上半好芯片/Bin下半好芯片，则是将其（BA2）邦线点不再接输入端而直接接地VSS和电源VDD；4)包括对于左半好芯片/右半好芯片，将其（A15 pin）输入信号由原来的地址输入端（ADDRESS pin）调整为不连接端（NC pin）；对于上半好芯片/下半好芯片则修改其（BA2）引脚的测试条件由原来的地址输入端（ADDRESS pin）重置为不连接端（NC pin），对测试向量（pattern）所访问的bank进行修改，屏蔽一半不会被访问的bank；5)完成封装后的芯片，通过定制测试程序完成最终芯片测试，筛选出真正半容量参数、功能、速度均达标的芯片作为最终成品。