[发明专利]一种具有纳米尺度薄膜界面的肖特基能障半导体元件在审
| 申请号： | 201610015385.8 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106960872A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 花长煌;邵耀亭 | 申请（专利权）人： | 稳懋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/872;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 马雯雯,臧建明 |
| 地址： | 中国台湾桃*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有纳米尺度薄膜界面的肖特基能障半导体元件，包括一肖特基能障层以及一金属电极；其中于肖特基能障层的一上表面形成一纳米尺度薄膜界面层，纳米尺度薄膜界面层的厚度大于且小于构成纳米尺度薄膜界面层的材料为至少一氧化物；金属电极形成于纳米尺度薄膜界面层之上且与纳米尺度薄膜界面层相接触。因此，本发明可以改善金属-半导体场效晶体管的栅极延迟现象以及改善肖特基二极管的电流延迟现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 纳米 尺度 薄膜 界面 肖特基能障 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种具有纳米尺度薄膜界面的肖特基能障半导体元件，其特征在于，包括：一肖特基能障层，其中于所述肖特基能障层的一上表面形成一纳米尺度薄膜界面层，其中所述纳米尺度薄膜界面层的厚度大于且小于构成所述纳米尺度薄膜界面层的材料为至少一氧化物；以及一金属电极，形成于所述纳米尺度薄膜界面层之上且与所述纳米尺度薄膜界面层相接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于稳懋半导体股份有限公司，未经稳懋半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610015385.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
